Novo originalno integrirano kolo BSP772T IP5306 BSZ040N06LS5 TLE7270-2D IC čip
BSZ040N06LS5
Infineonov OptiMOS™ 5 energetski MOSFET logički nivo je veoma pogodan za bežično punjenje, adaptere i telekomunikacijske aplikacije.Nisko punjenje gejta uređaja (Q g) smanjuje komutacione gubitke bez ugrožavanja provodljivih gubitaka.Poboljšane vrijednosti zasluga omogućavaju rad na visokim frekvencijama prebacivanja.Štaviše, drajv logičkog nivoa obezbeđuje niske pragove na vratimanapon zadržavanja (V GS(th)) omogućavajući MOSFET-ovima da budu pokretani na 5V i direktno iz mikrokontrolera.
Sažetak karakteristika
Low R DS(on) u malom pakovanju
Niska naplata kapije
Niži izlazni naboj
Kompatibilnost na logičkom nivou
Prednosti
Dizajn sa većom gustinom snage
Veća frekvencija prebacivanja
Smanjen broj dijelova gdje god je dostupno napajanje od 5V
Pokreće se direktno iz mikrokontrolera (sporo prebacivanje)
Smanjenje troškova sistema
Parametrics
| Parametrics | BSZ040N06LS5 |
| Budžetska cijena €/1k | 0,56 |
| Ciss | 2400 pF |
| Coss | 500 pF |
| ID (@25°C) max | 101 A |
| IDpuls max | 404 A |
| Montaža | SMD |
| Radna temperatura min max | -55 °C 150 °C |
| Ptot max | 69 W |
| Paket | PQFN 3,3 x 3,3 |
| Pin Count | 8 Pins |
| Polaritet | N |
| QG (tip @4.5V) | 18 nC |
| Qgd | 5,3 nC |
| RDS (uključeno) (@4.5V LL) max | 5,6 mΩ |
| RDS (uključeno) (@4.5V) max | 5,6 mΩ |
| RDS (uključeno) (@10V) max | 4 mΩ |
| Rth max | 1,8 K/W |
| RthJA max | 62 K/W |
| RthJC max | 1,8 K/W |
| VDS max | 60 V |
| VGS(th) min max | 1,7 V 1,1 V 2,3 V |
